基于二维铁电半导体的非易失存储器及其制备方法

摘要

一种基于二维铁电半导体的非易失存储器，包括：衬底，柔性材料制备而成；石墨烯层，长条状，位于所述衬底上；二维半导体材料层，位于所述衬底和一部分石墨烯层之上；铁电薄膜，位于所述二维半导体材料层上；顶电极，位于铁电薄膜上；以及底电极，位于所述石墨烯层的一部分之上；所述非易失存储器的制备方法包括：先制备二维铁电单晶材料；在柔性衬底上制备石墨烯层；在所制备的石墨烯层上制备二维半导体材料层并利用所制备的铁电单晶材料制备铁电薄膜；以及制备顶电极和底电极，完成基于二维铁电半导体的非易失存储器的制备，以缓解现有技术中存储器进一步小型化后棘手的量子隧穿和散热困难等技术问题。