新型阻变材料制备工艺及其阻变机理研究

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摘要

Abstract

第一章 引言

1.1 阻变存储器简介

1.2 阻变存储器件制备工艺

1.2.1 等离子体浸没注入技术

1.2.2 等离子体浸没注入技术设备体系

1.2.3 磁控溅射技术

1.2.4 直流磁控溅射装置系统与参数范围

1.3 阻变存储器工作的机理

1.3.1 空间电荷限制电流效应(SCLC理论)

1.3.2 导电细丝理论(Filament模型)

1.3.3 场助热电离效应(P-F效应)

1.4 本论文的主要工作

第二章 PⅢ制备氮化铜阻变材料

2.1 氮化铜材料属性及研究现状

2.2 氮化铜薄膜的制备与表征

2.2.1 等离子浸没注入系统(PⅢ)

2.2.2 X射线光电子能谱(XPS)

2.2.3 二次离子质谱(SIMS)

2.2.4 半导体分析仪(Keithley 4200)

2.2.5 扫描探针显微镜(SPM)

2.3 PⅢ制备氮化铜阻变材料实验结果与讨论

2.3.1 PⅢ制备氮化铜薄膜工艺参数及材料表征结果

2.3.2 PⅢ制备氮化铜薄膜电学表征结果

2.3.3 PⅢ制备氮化铜薄膜阻变机理研究

2.4 小结

第三章 磁控溅射制备氮化铜阻变材料

3.1 磁控溅射制备氮化铜薄膜的电学性质研究现状

3.1.1 磁控溅射制备条件对氮化铜薄膜的影响

3.1.2 掺杂对氮化铜薄膜导电能力的影响

3.2 磁控溅射制备氮化铜阻变材料实验结果与讨论

3.2.1 磁控溅射制备氮化铜薄膜工艺参数及材料表征结果

3.2.2 磁控溅射制备氮化铜薄膜电学表征结果

3.2.3 磁控溅射制备氮化铜薄膜阻变机理研究

3.3 小结

第四章 论文总结

参考文献

附录

致谢