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第一章绪论
1.1纳米尺度CMOS器件面临的挑战
1.1.1薄栅氧化层的可靠性
1.1.2氧化层的隧穿电流对器件可靠性的影响
1.1.3多晶硅栅耗尽和反型层量子化的影响
1.2高介电常数栅介质的特性
1.2.1高介电常数栅介质的优越性
1.2.2与Si的热稳定性
1.2.3介质材料的带隙与介电常数的关系
1.2.4界面特性
1.3本文的主要研究工作及内容安排
第二章MIS二极管的相关理论
2.1理想MIS二极管的能带结构
2.2理想MIS二极管的C-V特性
2.3 MIS电容中的电荷
2.4金属半导体功函数差
2.5 Fowler Nordheim隧穿电流
2.6 MIS二极管的电学参数
第三章界面特性理论分析与实验研究
3.1可靠性测试系统
3.1.1 Keithley 82-WIN同步C-V测试系统
3.1.2 HP4156B高精度半导体参数分析仪
3.1.3 SIGATONE S1160探针台
3.2界面陷阱电荷的测量
3.2.1界面态对高频C-V特性的电容贡献和电压扩展
3.2.2高频C-V线的电压偏移和界面态分布的关系
3.2.3界面态引起的C-V曲线偏移结果讨论
3.2.3 C-V曲线测量界面态密度
3.3实验结果与分析讨论
3.3.1电容曲线分析
3.3.2电流曲线分析
3.4小结
第四章四元件电路模型双频C-V法
4.1常规的C-V测量
4.2超薄MIS二极管等效小信号模型
4.3四元件电路模型的实验验证
4.4寄生元件的参数值
4.5小结
第五章结论与展望
致谢
参考文献
攻读硕士学位期间的研究成果
附录