机译:具有TiON / TaON多层复合栅介质的InGaas金属氧化物半导体电容器的界面和电学特性
机译:具有TiON / TaON多层复合栅电介质的InGaAs金属氧化物半导体电容器的界面和电学性质
机译:以LaON / TiON多层复合栅电介质和LaON作为界面钝化层的GaAs MOS电容器的界面和电学性能的改善
机译:通过氟化硅钝化层改善具有ZrON / TaON多层复合栅极电介质的Ge MOS电容器的界面和电学性能
机译:改进了多层分离结构的性能作为InGaAs金属氧化物半导体电容器的栅极电介质
机译:用于薄膜电容器的聚合物样氢化碳的合成及双不同电介质对高能密度应用电容器电性能的影响
机译:ALD沉积La2O3 / Al2O3叠层和LaAlO3介电薄膜的电学性能研究
机译:具有TiON / TaON多层复合栅电介质的InGaAs金属氧化物半导体电容器的界面和电学性质