基于查找表的CMP冗余金属填充寄生虫电容提取技术

摘要

随着集成电路制造技术的发展,CMP被广泛应用于晶圆平坦化处理。尽管CMP技术具有相对良好的平坦性,但是由于下层版图图形密度不均匀,仍然会导致抛光后电介质的厚度变化不均匀。冗余金属填充技术的采用有效缓解了这一问题,但这一技术引起的耦合电容对电路性能和成品率有着重要的影响。
　　 本文从填充区域选择,填充模式优化以及寄生电容提取三个方面解决冗余金属填充存在的问题。首先给出了计算安全填充区域的优化算法,然后对菱形冗余填充模式的主要参数进行了研究。并以此为基础提出计算菱形填充模式耦合电容增量的查找表算法。
　　 该算法速度快,精度高,通用性强,可用于冗余金属填充设计过程中的寄生参数提取和性能优化。

目录

文摘

英文文摘

第一章 绪论

1.1 集成电路的发展

1.2 研究背景

1.3 国内外研究现状

1.4 论文的研究目标

1.5 论文的章节安排

第二章 CMP冗余金属填充技术

2.1 化学机械抛光技术

2.1.1 化学机械抛光概述

2.1.2 化学机械抛光技术的发展

2.1.3 化学机械抛光的实现方法

2.1.4 影响化学机械抛光表面特性的主要因素

2.1.5 化学机械抛光的主要缺陷

2.2 CMP冗余金属填充技术

2.2.1 冗余金属填充技术概述

2.2.2 冗余金属填充特性分析

2.2.3 冗余金属填充的问题

2.3 本章小结

第三章 考虑耦合约束的填充区域计算方法

3.1 引言

3.2 问题介绍

3.3 可行区域选择的问题描述

3.4 考虑耦合电容约束的冗余金属填充算法

3.4.1 建立耦合电容查找表

3.4.2 区块的划分方法

3.4.3 产生最优冗余填充区域

3.5 本章小结

第四章 基于查找表的菱形冗余填充寄生电容提取

4.1 菱形填充模式概述

4.2 菱形冗余填充分析

4.2.1 填充宽度W

4.2.2 BS(缓冲距离)

4.2.3 填充块边长H和填充块间距D

4.3.基于查找表的冗余电容提取方法

4.3.1 引言

4.3.2 查找表方法概述

4.3.3 菱形填充冗余电容查找表建立方法

4.3.4 查找表插值方法

4.3.4 实验与结果分析

4.4 本章小结

第五章 总结与展望

致谢

参考文献

研究成果