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王志林;
西安电子科技大学;
半导体材料; 原子层淀积; 堆栈结构; 泄漏电流;
机译:间隔器上具有高k堆栈的纳米级栅下单层和双栅绝缘体上硅MOSFET的模拟/ RF性能研究
机译:SiO 2 sub> /高堆叠栅氧化物结构的双栅极隧道场效应晶体管电特性的紧凑二维分析模型
机译:具有反向梯度带隙结构的级联高K栅堆叠中的介电特性
机译:具有P + / SiO2收集器结构的绝缘栅双极晶体管(IGBT)的设计与分析,适用于高电压为1700V
机译:研究将Ⅲ族元素(镧,gate 、,和铝)掺入用于高级CMOS应用的金属栅/高k堆栈中的方法。
机译:在单个制造步骤中生成自对准SiO2 / Ge / SiO2 / SiGe栅堆叠异质结构的独特方法
机译:具有沉积的SiNx / SiO2叠栅结构的4H-SiC MIS电容器和MISFET
机译:Inp / siO2 mIs结构。
机译:MIS栅结构型HEMT器件的制造方法和MIS栅结构型HEMT器件
机译:形成包括高k金属栅电极结构的晶体管的方法,该高k金属栅电极结构包括多晶半导体材料和嵌入的应变诱发半导体合金
机译:高k栅介质的半导体结构俘获杂质氧以及形成结构的方法(高k栅介质的捕获金属堆)
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