声明
摘要
符号说明
第一章 绪论
1.1 引言
1.2 SOI材料简介
1.3 光子晶体材料简介
1.4 本论文的主要研究内容
第二章 离子注入与分析技术
2.1 离子注入技术
2.2 1.7 MV串列加速器
2.3 卢瑟福背散射/沟道分析技术
第三章 光子晶体理论及制备方法
3.1 平面波展开法(PWE)
3.2 时域有限差分法(FDTD)
3.3 光刻刻蚀技术
3.4 聚焦离子束技术
第四章 稀土离子注入SOI的射程分布
4.1 SOI样品的品质检测
4.2 稀土离子注入SOI的射程分布
4.3 稀土离子注入SOI的横向分布
第五章 稀土离子注入SOI的晶体损伤分布及退火行为
5.1 稀土离子注入SOI的晶格损伤
5.2 Er离子注入SOI样品的退火行为
第六章 Er离子注入SOI的光致发光
6.1 Er、O共注入的SOI样品退火后的光致发光
6.2 Er注入的SOI样品在O2和N2气氛退火后的光致发光
第七章 SOI基准三维平板光于晶体的带隙和波导
7.1 SOI基准三维平板光子晶体的制备
7.2 SOI基准三维平板光子晶体的带隙
7.3 SOI基准三维平板光子晶体的波导传输
第八章 总结
8.1 主要结果
8.2 主要创新点
参考文献
致谢
攻读博士学位期间发表的论文及获得的奖励
附外文论文