声明
摘要
1.1 研究背景及意义
1.2 硅电池表面制绒研究现状
1.2.1 碱腐蚀法
1.2.2 酸腐蚀法
1.2.3 反应离子刻蚀法(RIE)
1.2.4 硅晶电池表面陷光结构研究
1.3 硅晶体微细加工的发展
1.3.1 微细切削刀具的发展
1.3.2 硅晶体塑性域加工研究
1.4 本文主要研究内容
第2章 不同槽型低反射率硅表面微结构仿真研究
2.1 引言
2.2 不同微结构反射率计算二维模型
2.2.1 矩形槽微结构二维模型
2.2.2 圆弧槽微结构二维模型
2.2.3 半圆底矩形槽微结构二维模型
2.3 计算模型及数值算法
2.4 反射率计算结果及讨论
2.4.1 光线数量n值的确定
2.4.2 r/H值及初始入射角对圆弧槽陷光微结构反射率的影响
2.4.3 α值及初始入射角对矩形槽陷光微结构反射率的影响
2.4.4 α值及初始入射角对矩形槽陷光微结构反射率的影响
2.5 本章小结
第3章 单晶硅切削有限元仿真
3.1 引言
3.2 单晶硅延性域铣削理论
3.3 有限元仿真
3.3.1 材料参数设置
3.3.2 网格划分和边界条件
3.3.3 切削分离准则
3.3.4 单晶硅二维切削仿真
3.3.5 主轴转速对切削力的影响
3.3.6 刀具悬伸量对加工的影响
3.4 本章小结
4.1.引言
4.2.实验准备
4.2.1 实验设备
4.2.2 实验所用微细刀具及硅片
4.3 实验设计
4.4 实验结果和讨论
4.4.1 较优的槽间宽度
4.4.2 较优的轴向切深
4.4.3 单槽多次铣削
4.4.4 反射率分析
4.4.5 刀具磨损
4.5 本章小节
总结与展望
参考文献
致谢
攻读学位期间发表论文、参与课题及奖励情况