声明
摘要
1．1研究背景
1．1．1存储器体系架构
1．1．2非易失性存储器
1．1．3新型非易失性存储器
1．1．4 NAND闪存存储器
1．2研究内容及意义
1．3论文结构
第二章NAND闪存存储器概述
2．1 NAND闪存存储器结构
2．1．1平面2D NAND闪存存储器
2．1．2垂直3D NAND闪存存储器
2．2 NAND闪存存储器的工作原理
2．2．1单元
2．2．2阵列
2．2．3工作方式
2．3本章小结
第三章2D NAND闪存存储器的可靠性研究
3．1闪存存储器可靠性研究背景
3．2闪存存储器的可靠性参数
3．2．1耐久性
3．2．2数据保持特性
3．2．3读干扰
3．3电荷阻挡层厚度对器件可靠性影响研究
3．3．1电荷阻挡层厚度对器件可靠性影响研究
3．3．2ONO堆叠结构漏电现象研究
3．4本章小结
第四章3D NAND闪存存储器的特性研究
4．1垂直环形栅多晶硅晶体管特性研究
4．1．1温度特性
4．1．2 PBTI特性
4．2 3D NAND闪存存储单元仿真模拟
4．3本章小结
第五章总结和展望
5．1论文工作成果总结
5．2研究展望
参考文献
致谢
攻读学位期间研究成果
