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独创性说明及大连理工大学学位论文版权使用授权书
1绪论
1.1引言
1.2电介质及其极化的微观机理
1.3高k栅介质材料研究背景
1.3.1金属-氧化物-半导体场效应晶体管的工作原理
1.3.2 SiO2栅介质减薄所带来的问题
1.3.3 SiO2栅介质性能的改进——氮氧硅栅介质
1.3.4高k栅介质材料
1.4高k栅介质材料研究现状
1.4.1 ⅢA(Al)和ⅢB(Y、La、Gd)金属氧化物
1.4.2 VB(Ta)金属氧化物
1.4.3 VIB(Ti、Zr、Hf)金属氧化物
1.5 ZrO2基高k栅介质材料
1.5.1 ZrO2薄膜的结构、特性和应用前景
1.5.2 ZrO2基高k栅介质薄膜的研究现状
1.6 ZrO2基栅介质薄膜制备技术概述
1.6.1化学气相沉积(CVD)
1.6.2物理气相沉积(PVD)
1.7本论文研究目的及主要内容
2 ZrO2 介电薄膜的制备、表征及其工艺探索
2.1引言
2.2反应射频磁控溅射技术制备ZrO2薄膜
2.2.1反应溅射法及其基本原理
2.2.2薄膜沉积系统
2.2.3衬底的清洗
2.3薄膜的表征方法
2.3.1变角光谱椭偏仪测量ZrO2薄膜的厚度
2.3.2 ZrO2薄膜透射光谱的数据分析
2.3.3 ZrO2薄膜的微结构表征
2.3.4 ZrO2薄膜的表面形貌表征
2.3.5 ZrO2薄膜的电学性能测试
2.4放电条件对射频磁控溅射成膜空间中等离子体成分的影响
2.4.1光谱分析基本原理及实验装置
2.4.2原子发射光谱谱线标定及谱线强度分析
2.4.3放电条件对各元素谱线强度影响
2.5本章小结
3 ZrO2薄膜生长特性及其性能的研究
3.1引言
3.2 ZrO2薄膜的制备工艺
3.3 ZrO2薄膜生长特性的研究
3.3.1氧分压对ZrO2薄膜表面形貌的影响
3.3.2氧分压对ZrO2薄膜微观结构的影响
3.3.3氧分压对ZrO2薄膜界面稳定性的影响
3.4 ZrO2薄膜的物理特性
3.4.1氧分压对ZrO2薄膜动态介电系数和光学禁带宽度的影响
3.4.2氧分压对ZrO2薄膜C-V特性的影响
3.4.3 ZrO2薄膜Ⅰ-Ⅴ特性及其漏电流输运机制分析
3.5本章小结
4温度对ZrO2薄膜生长行为及ZrO2/Si界面稳定性影响的研究
4.1引言
4.2实验过程
4.3沉积温度对ZrO2薄膜生长行为的影响
4.3.1沉积温度对ZrO2薄膜微结构的影响
4.3.2沉积温度对ZrO2薄膜表面形貌的影响及其演化动力学生长行为
4.3.3沉积温度对ZrO2薄膜光学常数的影响
4.4 ZrO2薄膜的界面稳定性研究
4.4.1退火对ZrO2薄膜表面形貌的影响
4.4.2ZrO2薄膜/Si衬底界面层的XTEM分析
4.4.3 ZrO2/Si界面层的SE分析
4.4.4 ZrO2薄膜/Si衬底界面反应微观机制
4.5 Al2O3扩散阻挡层对界面层稳定性的作用
4.5.1含Al2O3扩散阻挡层的ZrO2薄膜的XTEM分析
4.5.2含Al2O3扩散阻挡层的ZrO2薄膜表面形貌及标度分析
4.6本章小结
5 ZrO2基多组元介电薄膜的微观结构及其热稳定性
5.1引言
5.2 Zr-Al-O三元系介电薄膜的微结构及其稳定性
5.2.1Al掺杂氧化锆(ZrAlxOy)薄膜的制备及其表征
5.2.3Al掺杂氧化锆(ZrAlxOy)薄膜的成份
5.2.4Al掺杂氧化锆(ZrAlxOy)薄膜的微结构
5.2.5Al掺杂氧化锆(ZrAlxOy)薄膜的热学稳定性
5.2.6不同含量Al掺杂氧化锆(ZrAlxOy)薄膜的光学性能
5.2.7Al掺杂氧化锆(ZrAlxOy)超薄薄膜的界面稳定性及漏电特性
5.3Al、Ti共掺杂ZrO2基四元系薄膜
5.3.1Al、Ti共掺杂ZrO2基四元系薄膜的制备及表征
5.3.2 Al、Ti共掺杂ZrO2基四元系薄膜的成分分析
5.3.3Al、Ti共掺杂ZrO2基四元系薄膜的微结构
5.3.4Al、Ti共掺杂ZrO2基四元系薄膜的热学稳定性
5.4本章小结
结论
尚存在的问题及展望
参考文献
攻读博士学位期间发表学术论文情况
创新点摘要
致谢