声明
摘要
图表目录
主要符号表
1 绪论
1.1 论文研究背景
1.1.1 集成电路发展概述
1.1.2 集成电路制造工艺流程
1.1.3 集成电路发展对硅片减薄技术的挑战
1.2 硅片超精密磨削减薄技术概述
1.2.1 硅片减薄技术现状与分析
1.2.2 硅片超精密磨削减薄技术
1.3 硅片超精密磨削减薄技术的研究现状
1.3.1 硅片超精密磨削工艺规律
1.3.2 硅片超精密磨削表面层损伤
1.3.3 硅片超精密磨削减薄的变形
1.3.4 硅片超精密磨削减薄的崩边
1.3.5 硅片超精密磨削减薄新技术
1.4 论文的提出、来源与主要研究内容
1.4.1 论文的提出与来源
1.4.2 论文主要研究内容
2 硅片超精密磨削亚表面损伤的研究
2.1 硅片旋转磨削的磨粒切削深度模型
2.2 硅片超精密磨削亚表面损伤分布的研究
2.2.1 试验条件与检测方法
2.2.2 亚表面损伤深度沿晶向的分布
2.2.3 亚表面损伤深度沿径向的分布
2.3 硅片超精密磨削参数对亚表面损伤深度的影响
2.3.1 试验条件与检测方法
2.3.2 砂轮粒度对亚表面损伤深度的影响
2.3.3 砂轮转速对亚表面损伤深度的影响
2.3.4 砂轮进给速度对亚表面损伤深度的影响
2.3.5 硅片转速对亚表面损伤深度的影响
2.4 本章小结
3 硅片超精密磨削减薄变形的研究
3.1 硅片超精密磨削减薄时的受力状态
3.1.1 有限元模型的建立
3.1.2 仿真结果与分析
3.2 硅片超精密磨削减薄变形的数学模型
3.2.1 硅片超精密磨削减薄变形机理
3.2.2 硅片超精密磨削减薄变形的弯曲方程
3.2.3 加工应力与残余应力的理论计算
3.3 理论模型的试验验证
3.3.1 试验条件与检测方法
3.3.2 结果与讨论
3.4 本章小结
4 硅片超精密磨削减薄崩边的研究
4.1 崩边的产生原因
4.2 崩边沿硅片圆周变化规律的研究
4.2.1 试验条件与检测方法
4.2.2 崩边形状沿硅片圆周的变化规律
4.2.3 崩边尺寸沿硅片圆周的变化规律
4.3 磨削减薄参数对崩边尺寸的影响
4.3.1 试验条件与检测方法
4.3.2 结果与讨论
4.4 本章小结
5 机械化学磨削技术的研究
5.1 机械化学磨削原理概述
5.2 软磨料砂轮的研制
5.2.1 软磨料砂轮的组织设计
5.2.2 软磨料砂轮的结构设计
5.2.3 软磨料砂轮的制造工艺
5.3 软磨料砂轮的修整
5.3.1 软磨料砂轮修整方法
5.3.2 软磨料砂轮修整试验
5.4 软磨料砂轮磨削性能试验
5.4.1 试验条件与检测方法
5.4.2 结果与讨论
5.5 软磨料砂轮机械化学磨削的加工机理
5.5.1 机械化学磨削硅片表面成分的分析
5.5.2 机械化学磨削硅片表面的材料去除模型
5.6 本章小结
6 硅片高效低损伤超精密磨削减薄工艺
6.1 高效低损伤磨削减薄工艺方案
6.2 硅片超精密磨削减薄试验
6.2.1 试验条件
6.2.2 结果与讨论
6.3 本章小结
7 结论与展望
7.1 结论
7.2 展望
参考文献
攻读博士学位期间科研项目及科研成果
创新点摘要
致谢
作者简介
大连理工大学;