声明
摘要
图目录
主要符号表
1 绪论
1.1 低温等离子体在集成电路工业中的应用
1.2 低温射频等离子体源的简介
1.3 DF-CCP研究进展
1.4 DF-CCP研究的热点问题
1.4.1 离子通量和能量的独立控制
1.4.2 高低频的耦合效应
1.4.3 离子能量分布
1.4.4 驱动频率效应
1.5 DF-CCP研究存在的问题
1.6 本文研究内容安排
2 实验装置、诊断方法及数值模型
2.1 实验装置
2.2 诊断方法
2.2.1 微波发卡探针
2.2.2 光探针
2.2.3 四极杆质谱仪
2.2.4 电压-电流探测器
2.3 数值模型简介
2.3.1 PIC/MC模型
2.3.2 流体模型
2.4 本章小结
3 O2和Ar/O2放电中的电子密度
3.1 引言
3.2 结果与讨论
3.2.1 高频功率的影响
3.2.2 低频功率的影响
3.2.3 气压的影响
3.2.4 电子密度的空间分布
3.2.5 Ar/O2混合气体放电中的电子密度
3.3 本章小结
4 Ar/O2混合气体放电中的离子能量分布
4.1 引言
4.2 结果与讨论
4.2.1 极板电压
4.2.2 Ar+和AO2+离子能量分布
4.2.3 低频频率的影响
4.2.4 低频功率的影响
4.2.5 气压的影响
4.2.6 高频功率的影响
4.2.7 误差分析
4.3 本章小结
5 Ar/CF4和Ar/O2/CF4混合气体放电中的电子密度和离子能量分布
5.1 引言
5.2 结果与讨论
5.2.1 电子密度
5.2.2 离子能量分布
5.3 本章小结
6 O2放电中的驱动频率效应
6.1 引言
6.2 实验设备简介
6.3 结果与讨论
6.3.1 吸收功率
6.3.2 在固定吸收功率条件下驱动频率对电子密度的影响
6.3.3 在固定极板电压条件下驱动频率对电子密度的影响
6.4 本章小结
7 结论与展望
7.1 主要结论
7.2 创新点
7.3 展望
参考文献
攻读博士学位期间科研项目及科研成果
致谢