声明
1 绪论
1.1 霍尔传感器的研究背景和意义
1.1.1 霍尔效应
1.1.2 霍尔传感器的分类
1.1.3 霍尔传感器的关键指标
1.1.4 传统霍尔传感器的性能比较及其面临的挑战
1.2 基于GaN材料制作的霍尔传感器的优势
1.3 国内外研究现状
1.4 本论文的主要内容
2 GaN基异质结水平型霍尔板的TCAD建模仿真研究
2.1 Sentaurus TCAD简介
2.2 仿真所用的物理模型
2.2.1 压电极化和自发极化模型
2.2.2 GaN材料电子低场迁移率模型
2.2.3 磁场相关的电流传输模型
2.2.4 其他物理模型
2.3 器件性能的研究
2.3.1 L/W对GaN基水平型霍尔板的影响
2.3.2 l对GaN基水平型霍尔板的影响
2.3.3 温度对GaN基水平型霍尔板的影响
2.4 本章小结
3 GaN基异质结结构的垂直型高温霍尔传感器
3.1 GaN基异质结结构垂直型霍尔传感器的问题
3.2 GaN基异质结垂直型霍尔传感器结构设计
3.3 仿真与器件物理参数校正
3.4 仿真结果与讨论
3.5 本章小结
4 GaN基三维霍尔器件的TCAD建模和仿真
4.1 GaN基三维霍尔传感器的结构设计
4.2 GaN基三维霍尔传感器的工作原理
4.3 仿真结果与讨论
4.3.1 器件的输出特性
4.3.2 器件的交叉灵敏度
4.3.3 器件的角度特性
4.3.4 器件的温度特性
4.4 本章小结
5 GaN基异质结水平型器件的制作与实验结果
5.1 GaN基异质结水平型器件的版图设计
5.2 GaN基异质结结构水平型器件的实验工艺
5.3 测试结果分析和讨论
5.3.1 测试系统简介
5.3.2 器件的失调电压
5.3.3 器件的输出特性
5.3.4 器件的温度特性
5.4 本章小结
6 总结与展望
6.1 总结
6.2 创新点摘要
6.3 不足与展望
参考文献
攻读硕士学位期间发表学术论文情况
致谢
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