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目录
第一章 薄膜晶体管概述
1.1多晶硅晶体管技术及氧化物晶体管技术
1.2 TFT器件可靠性的研究基础
1.3本文主要研究工作
第二章 多晶硅TFT在栅脉冲应用下的退化研究
2.1 TFT器件及可靠性实验
2.2 非平衡态PN结退化模型
2.3本章结论
第三章 一种新型TFT及其退化抑制研究
3.1 AMOLED的电路补偿技术
3.2 一种具有载流子注入结构的新型TFT
3.3本章结论
第四章 铟镓锌氧化物TFT在栅脉冲下的退化研究
4.1 铟镓锌氧化物TFT器件的制备
4.2 栅脉冲应力下铟镓锌氧化物TFT的退化实验
4.3 栅脉冲应力下的器件退化模型
4.4 动态热载流子和负偏栅应力的混合效应
4.5 铟镓锌氧化物 TFT在栅脉冲应力下的退化仿真
4.6 本章总结
第五章 铟镓锌氧TFT在栅/漏应力共同作用下的退化研究
5.1 铟镓锌氧TFT在栅/漏共同作用下的退化现象
5.2 栅/漏偏压共同作用下的退化模型
5.3 本章总结
第六章 总结及展望
参考文献
攻读学位期间发表的学术论文及其他研究成果
致谢