声明
摘要
第一章 绪论
1.1 宽电压SRAM研究背景及意义
1.1.1 SRAM的研究意义
1.1.2 宽电压SRAM的重要性
1.2 宽电压SRAM时序控制电路的设计挑战
1.3 论文研究内容及意义
1.4 论文组织结构
第二章 SRAM时序控制电路综述
2.1 SRAM关键路径分析
2.2 传统SRAM时序控制电路
2.2.1 传统SRAM复制位线的具体设计
2.2.2 宽电压下传统SRAM复制位线的缺点
2.3 现有的抗工艺变化时序控制电路设计
2.4 本章小结
第三章 抗工艺变化的宽电压时序控制电路研究
3.1 2048_32 SRAM整体时序电路设计
3.2 分级复制位线设计
3.2.1 2048_32SRAM分级位线的具体设计
3.2.2 针对位线分级的复制位线设计
3.3 抗工艺变化的局部复制位线设计
3.3.1 局部工艺变化的理论分析
3.3.2 现有的抗局部工艺变化的复制位线设计
3.3.3 抗局部工艺变化的并行局部复制位线设计
3.3.4 三种抗工艺变化的复制位线电路比较
3.4 基于BIST测试的分级复制位线设计
3.5 本章小结
第四章 SRAM测试及结果
4.1 2048_32 SRAM测试方案及测试环境
4.1.1 2048_32 SRAM测试方案
4.1.2 2048_32 SRAM测试环境
4.2 测试结果分析及比较
4.3 本章小结
第五章 总结与展望
5.1 总结
5.2 展望
致谢
参考文献
东南大学;