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130nm工艺低漏电SRAM的设计与实现

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第一章 绪论

1.1 课题研究背景与意义

1.2 国内外研究现状

1.3 论文研究内容与设计指标

1.4 论文组织结构

第二章 低漏电SRAM设计基础

2.1 SRAM中的泄漏电流

2.1.1 泄漏电流及其产生机制

2.1.2 SRAM中的漏电

2.2 降低SRAM泄漏电流的方法

2.2.1 电压调节

2.2.2 降低SRAM的数据保持电压

2.2.3 晶体管串联

2.2.4 阈值电压调节

2.3 本章小结

第三章 低漏电SRAM电路设计

3.1 低漏电SRAM电路方案设计

3.1.1 电压域划分

3.1.2 SRAM单元泄漏电流分析

3.1.3 低漏电SRAM整体方案

3.2 常规电路模块设计

3.2.1 存储阵列

3.2.2 时序控制电路

3.2.3 译码器与行列选择电路

3.2.4 列MUX

3.2.5 灵敏度放大器

3.2.6 输入与输出电路

3.3 低漏电控制电路设计

3.3.1 字线隔离与位线浮空设计

3.3.2 门控电源设计

3.3.3 DRV控制电路设计

3.4 低漏电SRAM的版图设计

3.5 本章小结

第四章 低漏电SRAM测试电路设计

4.1 BIST测试原理

4.1.1 BIST基本框架

4.1.2 测试算法

4.2 基于March C+算法的BIST

4.2.1 March C+算法原理

4.2.2 BIST电路RTL代码生成

4.3 低漏电SRAM与BIST电路后端实现

4.3.1 逻辑综合与布局布线

4.3.2 静态时序分析

4.4 本章小结

第五章 结果与分析

5.1 仿真与分析

5.1.1 功能仿真

5.1.2 低漏电仿真

5.1.3 BIST电路仿真

5.2 芯片测试

5.3 设计指标与对比分析

5.4 本章小结

第六章 总结与展望

6.1 总结

6.2 展望

致谢

参考文献

作者简介

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著录项

  • 作者

    胡志武;

  • 作者单位

    东南大学;

  • 授予单位 东南大学;
  • 学科 电子科学与技术
  • 授予学位 硕士
  • 导师姓名 杨军;
  • 年度 2018
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 中文
  • 中图分类 电器 ;
  • 关键词

    工艺; 低漏电; SRAM;

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