先进逻辑工艺下SRAM漏电流测试

陈浩; 董庆; 马亚楠; 林殷茵

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先进逻辑工艺下SRAM漏电流测试

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对于65nm及以下的先进逻辑工艺,SRAM的漏电流功耗占据了保持状态下功耗的一半以上,成为降低功耗的主要瓶颈之一.精确测量漏电流成为优化工艺从而降低功耗的先决条件.在保持SRAM原有版图环境不变的情况下,通过对SRAM施加不同激励,将栅漏电流、结漏电流和衬底漏电流这3种漏电流有效地区分出来.通过大量的测试,得到在不同温度下SRAM漏电流的相应数据结果用以分析,并对漏电流在整片晶圆内的系统波动和局部随机波动进行了讨论.

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来源
《复旦学报：自然科学版》 |2013年第4期|535-540|共7页
作者
陈浩; 董庆; 马亚楠; 林殷茵;
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作者单位

复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类测试和检验;
关键词
漏电流; SRAM; 测试方法; 四端结构; 随机波动;

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