极紫外光刻投影光学系统优化设计

摘要

光刻技术及其在产业中的开发应用一直是业界最关注的焦点之一。极紫外光刻成为了下一代光刻技术最有力的竞争者。然而，要实现商业化，必须先克服技术上难关。 光刻是大规模集成电路的制造过程中最为关键的工艺，光刻物镜是光刻的核心，其性能直接决定了光刻的图形传递能力。本文介绍了极紫外光刻光学系统的设计原理，提出一种五反射镜的设计构思，它在光学质量、自由工作距离方面满足极紫外光刻商业化的要求。为了实现这个设计，文章对精密非球面加工和计算机辅助光学装校也作了一定探讨。 此外，论文针对投影光学系统，从光学设计要求出发，分析了影响光学系统成像质量的各种主要误差因素，并使用ZEMAX软件对设计结果进行了检验。

目录

文摘

英文文摘

声明

第一章绪论

§1.1引言

§1.2光刻技术的应用和发展

§1.3本文的主要内容

第二章极紫外光刻投影光学系统

§2.1 EUVL投影光学系统

§2.2 EUVL光学系统的组成及工作原理

§2.3 EUV光源的工作原理

§2.4 EUV光源面临的挑战

§2.5投影光刻物镜的加工

§2 6 EUV光刻掩模的结构

§2.7曝光过程中的热变形对掩模的影响

§2.8粗糙度对掩模的影响

§2.9 EUV光刻的真空环境

第三章五反射镜式投影光学系统的设计

§3.1 EUVL投影光学系统的设计参数

§3.2 EUVL投影光学系统的设计要求

§3.3六反射镜系统

§3.4五反射镜光学系统的构想

§3.5反射物镜的设计和光学性能评价

§3.6结论与展望

结论

致谢

参考文献