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GaInAsSb四元合金纳米线的合成及其光电性能研究
GaInAsSb四元合金纳米线的合成及其光电性能研究
摘 要
Abstract
摘要................................................
第1章 绪 论
1.1 引言
1.2 纳米技术、纳米材料概述
1.3 纳米材料特性
1.4 纳米材料的制作方法
1.5 Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米器件
1.6 本论文的研究背景、目的意义和内容
1.6.1 研究背景
2.1 研究目的与意义
2.2 实验部分
2.4 GaSb纳米线光电响应特性
2.5 本章小结
第3章 GaInAsSb合金纳米线的制备及其光电性能研究
3.1 研究目的与意义
3.2 实验部分
3.3 GaInAsSb四元合金纳米线的表征
3.4结果与分析
3.5 Ga0.75In0.25As0.49Sb0.51纳米线光电响应特性
3.6 本章小结
结论与展望
参考文献
