CdS纳米晶负载聚苯胺纳米线的制备及光电性能研究

摘要

以巯基乙酸掺杂的聚苯胺纳米线为硫源和基底,通过水热反应成功制备了CdS纳米晶负载聚苯胺纳米线.所制备的CdS纳米晶负载聚苯胺纳米线的形貌、晶体结构、元素价态以及光电性质分别利用透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见吸收光谱、表面光电压谱(SPS)进行了表征.5～10 nm的CdS纳米晶随机且均匀地负载在PANI纳米线的表面.表面光电压响应显示,所制备的CdS纳米晶负载聚苯胺纳米线可以作为p-n结以及光电功能材料来使用.