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目录
1 绪 论
1.1 半导体器件钝化薄膜的发展状况
1.2 半导体器件表面钝化膜的分类及特点
1.3 瞬变电压抑制二极管（TVS）
1.4 问题的提出及论文研究内容
2 TVS器件氮化硅钝化层的制备工艺
2.1 制备工艺概述
2.2 工艺原理
2.3 氮化硅LPCVD淀积工艺的优化
2.4 测试原理及方法
3 氮化硅钝化层性能分析
3.1 氮化硅钝化层分析
3.2 不同钝化层的可靠性分析
3.3 玻璃钝化对可靠性的影响
3.4 双层介质膜在二极管中的应用
4 划片方式对器件可靠性的影响
4.1 失效分析
4.2 划片切割对可靠性影响的研究
4.3 背切深度和择向对高温漏流的影响
5 结 论
致谢
参考文献
