声明
第一章 绪论
1.1 引言
1.2 忆阻器的简介与应用
1.2.1忆阻器的简介与发展
1.2.2忆阻器的分类与研究
1.2.3忆阻器的应用
1.3 选择器的简介与分类
1.3.1突变型选择器
1.3.2渐变型选择器
1.4 1S1R单元的优势与现状
1.4.1 1S1R与CRS，1T1R和1D1R单元的对比
1.4.2 1S1R单元的研究现状
1.5 选题意义与研究内容
第二章 三叠层隧穿型选择器的冠状势垒与介电常数调控
2.1 三叠层隧穿型选择器性能调控的基本原理
2.1.1冠状势垒机制的基本原理
2.1.2可变氧化物厚度机制的基本原理
2.2 三叠层隧穿型选择器的制备工艺
2.2.1磁控溅射沉积的原理和优势
2.2.2光刻工艺的原理和优势
2.2.3套刻型Crossbar光刻掩膜版的设计
2.3 三叠层隧穿型选择器的冠状势垒调控
2.3.1 Pt/ZnO/Ta2O5/ZnO/Pt/Ti冠状势垒选择器研究
2.3.2冠状势垒选择器材料组合规律
2.4 三叠层隧穿型选择器的介电常数调控
2.5 选择器读取方式的确定
2.5.1非线性最高原则
2.5.2总功耗最低原则
2.6 本章小结
第三章 柔性阈值转变型忆阻器的等离子体处理调控
3.1 阈值转变型忆阻器的研究现状与不足
3.2 HfO2阈值转变器件的制备与扫描调控
3.2.1阈值转变器件的磁控溅射制备
3.2.2阈值转变器件的扫描参数调控
3.3 HfO2阈值转变忆阻器的等离子体处理调控
3.3.1等离子体处理的简介与优势
3.3.2氩等离子体处理调控
3.3.3氧等离子体处理调控
3.3.4 HfO2阈值转变忆阻器的等离子体处理调控机理
3.4 基于HfO2选择器与忆阻器的1S1R阵列规模计算
3.5 柔性HfO2阈值转变忆阻器的性能表征
3.5.1柔性测试模具设计
3.5.2抗弯折性能测试
3.6 本章小结
第四章 ZnO纳米棒忆阻器仿生突触的紫外光照调控
4.1 ZnO纳米棒阵列忆阻器的制备
4.1.1水热合成法的原理和优势
4.1.2 ZnO纳米棒阵列忆阻器的制备工艺
4.1.3水热法工艺参数对纳米棒形貌的影响
4.2 ZnO纳米棒阵列的材料与结构表征
4.2.1 XRD物相分析
4.2.2 XPS元素分析
4.2.3 SEM形貌分析
4.2.4 TEM形貌分析
4.2.5 PL光谱分析
4.3 ZnO纳米棒阵列忆阻器的阻变特性与突触功能模拟
4.3.1 ZnO忆阻器的阻变特性
4.3.2 ZnO忆阻器的阻变机理
4.3.3 ZnO纳米棒忆阻器的突触功能模拟
4.4 ZnO纳米棒阵列忆阻器阻变与突触功能的紫外光照调控
4.4.1 ZnO纳米棒忆阻器的紫外光照调控
4.4.2 ZnO纳米棒忆阻器的紫外光照调控机理
4.4.3 ZnO纳米棒忆阻器突触功能的紫外光照调控
4.5 本章小结
第五章 结论
5.1 总结
5.2 展望
致谢
参考文献
附录1（攻读学位期间发表论文目录）
