摘要
第一章 绪论
1.1 低维纳米材料介绍
1.2 合金材料介绍
1.3 本文研究材料介绍
1.4 本文的主要研究内容
第二章 理论基础
2.1 密度泛函理论
2.1.1 绝热近似
2.1.2 Hartree-Fock近似
2.1.3 Hobenberg-Kohn定理
2.1.4 Kohn-Sham方程
2.1.5 交换关联泛函
2.1.6 赝势方法
2.2 VASP程序包介绍
2.3 掺杂的形成能
2.3.1 半导体中的掺杂
2.3.2 掺杂的形成能计算方法
2.4 半导体的光学性质
2.4.1 半导体的光吸收
2.4.2 半导体发光
第三章 二维Sn1-xTi(Zr)xS2合金的电子结构和光学性质的研究
3.1 背景介绍
3.2 结构模型和计算方法
3.3 结果分析与讨论
3.3.1 纯SnS2二维纳米片的结构和电子特性
3.3.2 二维Sn1-xTi(Zr)xS2三元合金的电子结构性质
3.3.3 二维Sn1-xTi(Zr)xS2三元合金的光学性质
3.4 本章总结
第四章 二维Sn1-xCuxS2纳米片的电子结构和光学特性研究
4.1 背景介绍
4.2 结构模型和计算方法
4.3 结果分析和讨论
4.3.1 单个Cu原子掺杂SnS2纳米片的电子结构性质
4.3.2 不同位形的两个Cu原子掺杂SnS2纳米片的电磁特性
4.3.3 单个Cu原子掺杂的SnS2二维纳米片的光学性质
4.4 本章总结
第五章 总结及展望
参考文献
致谢
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