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景微娜;
河北工业大学;
衬底处理; 外延生长; 薄膜性能; 光电子器件; 化学气相沉积; 发光特性;
机译:衬底氮化时间对分子束外延生长在硅上的GaN薄膜热学性能的影响
机译:衬底氮化对氢化物气相外延生长的厚GaN薄膜性能的影响。
机译:通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)在独立的大块m平面衬底上开发同质外延生长的GaN薄膜层
机译:通过MOCVD增强了蓝宝石衬底上的III型氮化物HEMT的器件性能。
机译:MOCVD制备的具有单和双异质结的InGaN薄膜中的铟滴形成
机译:CVD材料处理。压力输出速率对垂直MOCVD反应器中GaN薄膜生长速率分布的影响。
机译:低压mOCVD法研究载气对GaN薄膜形貌和镶嵌分散的影响
机译:在台面图案化衬底上外延生长的异质结构半导体激光器的制造方法-使用三甲基甲基镓作为源气体,在台面条纹侧面上通过电流阻挡砷化镓层的外延MOCVD生长
机译:外延生长衬底,外延生长衬底的制造方法,外延衬底和半导体器件
机译:外延生长衬底的制造方法,由其获得的外延生长衬底以及使用该衬底的发光器件
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