单晶硅生长过程中工艺参数对少子寿命的影响

摘要

本文在全球经济快速发展，化石能源日趋枯竭，环境问题日益严重的背景下，对当前亟待解决的降低太阳电池成本，提高太阳电池转化效率问题，在实际生产中给出了可行性措施。太阳能以它既取之不尽，用之不竭，又无污染的双重优势成为当前新能源的首选。而在太阳电池材料中，单晶硅太阳电池所占比率最大，单晶硅的少子寿命是影响太阳电池效率的一个很重要的参数。单晶硅片少子寿命的高低直接影响到单晶硅太阳电池转换效率的高低，本文在实际生产的基础上通过改进晶体的生长工艺，探究工艺参数对少子寿命的影响，寻求到最有利于硅单晶生长的工艺参数。 本文在KX260 晶体生长系统上装备24 〃热场，装料120kg，采用5 种不同的初始埚位，其他工艺参数相同的晶体生长工艺，拉制5 根φ 200mm，P型，晶向〈100 〉，电阻率2 Ω cm的单晶硅棒，然后分析不同初始埚位对少子寿命的影响。由实验结果得到，随着初始埚位的提升，单晶硅棒少子寿命逐渐降低。然后又固定埚转8rpm，变晶转6rpm、10rpm、14rpm，其他工艺参数相同的晶体生长工艺，拉制了三根φ 200mm，P 型，晶向〈100 〉，电阻率2Ω cm的单晶硅棒。最后对拉制的3 根单晶硅棒进行少子寿命的测试，分析晶体生长过程中晶转对少子寿命径向均匀性的影响。由实验结果得出晶转速率越大，均匀性越好。 综合以上，并且考虑到实际生产需要，得到最适合晶体生长的初始埚位是-70mm。晶转为10rpm，埚转为8 rpm时，最有利于晶体的完整性和均匀性。

目录

文摘

英文文摘

声明

第一章前言

第二章单晶硅的常规和新型生长工艺

第三章高少子寿命硅单晶生长系统的热场设计

第四章高少子寿命硅单晶生长实验设计与结果分析

第五章结论

参考文献

致谢