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摘要
第一章 绪论
1.1 硅材料的研究和开发
1.2 硅单晶的缺陷
1.2.1 硅单晶中的点缺陷
1.2.2 硅单晶中的位错和层错
1.3 硅单晶中的氧沉淀
1.3.1 硅单晶中氧的基本性质
1.3.2 硅单晶中氧沉淀的基本性质
1.3.3 硅单晶中氧化诱生层错(OSF)
1.4 单晶硅中的过渡族金属杂质和吸杂
1.4.1 单晶硅中过渡族金属杂质的性质
1.4.2 单晶硅中过渡族金属杂质的吸杂
1.5 快速热处理技术
1.6 本研究的意义及内容
参考文献
第二章 实验设备与样品准备
2.1 实验设备及原理
2.1.1 热处理设备
2.1.2 观察测试设备
2.2 样品准备
2.2.1 实验样品
2.2.2 样品的清洗和腐蚀技术
第三章 P型直拉单晶硅中点缺陷与铜沉淀相互作用的研究
3.1 引言
3.2 直拉单晶硅中间隙硅原子与铜沉淀之间相互影响
3.2.1 实验方案
3.2.2 实验结果及讨论
3.3 直拉单量硅中空位与铜沉淀之间的相互影响
3.3.1 实验方案
3.3.2 实验结果及讨论
3.4 本章小结
参考文献
第四章 直拉单晶硅中洁净区形成后过渡族金属的沉淀行为
4.1 引言
4.2 直拉单晶硅中洁净区形成后过渡族金属铜的沉淀行为研究
4.2.1 实验方案
4.2.2 实验结果及分析
4.3 直拉单晶硅中洁净区形成后过渡族金属镍的沉淀行为研究
4.3.1 实验方案
4.3.2 实验结果及分析
4.3 本章小节
参考文献
第五章 直拉单晶硅中铜沉淀与氧化诱生层错的相互影响的研究
5.1 引言
5.2 实验方案
5.3 实验结果及讨论
5.3.1 铜沉淀和氧沉淀的相互作
5.3.2 铜沉淀对氧化诱生层错形成的促进作用
5.3.3 热氧化时间对氧沉淀和氧化诱生层错的影响
5.4 本章小结
参考文献
第六章 结论
攻读硕士期间发表的论文
致谢