Investigation of copper precipitation and nickel precipitation in Czochralski silicon

摘要

在晶体硅材料制备和硅基器件制造过程中，过渡族金属铜(Cu)和镍(Ni)非常有可能沾污硅片。研究表明，铜和镍在硅中具有很高的扩散系数，并且固溶度随着温度降低而急剧下降，因此在硅片热处理后的冷却过程中容易形成金属沉淀，对硅器件性能及可靠性带来非常不利的影响。因此，硅中过渡族金属的沉淀行为，尤其是铜、镍杂质的沉淀行为一直是硅材料研究领域受到关注的问题。研究铜、镍在晶体硅中的沉淀行为，不仅在理论上有着重要意义，而且对提高硅器件性能和成品率也有重要的作用。本论文通过择优腐蚀和光学显微镜观察，配合傅里叶红外光谱仪，得出了以下一些结论： (1)研究了P型直拉单晶硅中铜沉淀和点缺陷的相互影响。研究发现，在P...