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目录
1 绪 论
1.1 纳米低维半导体材料
1.2稀磁半导体概述
1.3氧化锌概述
1.4 电子结构理论概述
1.5 有效质量包络函数
2 理论模型和计算方法
2.1 k·p微扰方法计算带边的能带结构
2.2 无磁场的有效质量理论[56]
2.3 磁场下的有效质量方程
3 氧化锌量子线的能带结构
3.1 引言
3.2 纤锌矿在磁场中的电子态和空穴态
3.3 结果和讨论
4 锰掺杂氧化锌量子线的能带结构及磁学性质
4.1 引言
4.2锰掺杂纤锌矿量子线在磁场中的电子态和空穴态
4.3 结果和讨论
5 结论与展望
5.1 主要结论
5.2 后续研究展望
致谢
参考文献
附录A. 作者在攻读硕士学位期间的工作和发表的论文