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江薇;
西南大学;
单层氮化硼; 石墨烯; 密度泛函理论; 电子结构; 磁性;
机译:一氧化碳在石墨烯或单层六方氮化硼支撑的金单层上的吸附构型:第一性原理研究
机译:金属插层(金属= Al,Ag,Au,Pt和Pd)后SiC(0001)上外延石墨烯单层的电子结构:第一性原理研究
机译:共掺杂Fe_3O_4的电子结构和磁性的第一性原理研究
机译:原始和掺杂的锐钛矿型二氧化钛电子结构的第一性原理研究。
机译:MgZnO单层的相稳定性电子结构和光学性质的第一性原理研究
机译:NbCoCral和NbRhCral化合物的电子结构,磁性和半金属性的第一性原理研究
机译:用于器件应用的石墨烯带结构和带隙工程的第一性原理研究。
机译:形成单层石墨烯-氮化硼异质结构的方法
机译:单层石墨烯的制造方法,生产单层石墨烯分散体的方法和单层石墨烯分散体
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