University of Michigan, Ann Arbor, USA;
机译:1V以下15ppm /°C CMOS带隙基准电压源,无需低阈值电压器件
机译:低泄漏模拟开关,用于低速采样保持电路
机译:18-NA超低电流电阻的带隙参考为2.8 V-4.5 V高压电源Li-Ion-Battern-Cably-LiSIS
机译:使用自调谐低泄漏样品和保持的2.98WAW带隙电压参考
机译:用于低压带隙基准的模拟和混合信号技术。
机译:从浪涌避雷器的漏电流中提取电阻电流部件而无需电压参考
机译:使用自调节低泄漏采样和保持的2.98nW带隙基准电压源