Department of Photonics Institute of Electro-optical Engineering, National Chiao-Tung University, Hsinchu, Taiwan, R. O. C.;
strain-compensated; high-speed electronics; VCSELs; InGaAsP/InGaP; proton-implant;
机译:单模1.27- / spl mu / m InGaAs:Sb-GaAs-GaAsP量子阱垂直腔表面发射激光器
机译:单模1.27μmInGaAs:Sb-GaAs-GaAsP量子阱垂直腔表面发射激光器
机译:发射波长为1.27μm的InGaAs:Sb-GaAs-GaAsP量子阱垂直腔表面发射激光器的高速调制
机译:单模1.27μmInGaAs:Sb-GaAs-GaAsP量子阱垂直腔表面发射激光器
机译:GaN基发光二极管和垂直腔表面发射激光器的量子效率增强。
机译:不同腔配置中锁模垂直外腔面发射激光器的时滞-微分方程建模
机译:由由模式锁定的垂直外腔表面发射激光器触发的确定性量子点微透镜的单光子发射为143MHz的速率
机译:采用molecularBeam外延再生的InGaas-Gaas量子阱垂直腔面发射激光器