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Spin depolarization in semiconductor spin detectors

机译:半导体自旋检测器中的自旋去极化

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摘要

A brief review is given of our recent experimental results from in-depth investigations of spin depolarization and underlying physical mechanisms within semiconductor spin detectors based on Ⅱ-Ⅵs (e.g. Zn(Cd)Se quantum wells) and Ⅲ-Ⅴs (e.g. InGaN quantum wells), which are relevant to applications for spin-LEDs based on ZnMnSe/Zn(Cd)Se and GaMnN/InGaN structures. By employing cw and time-resolved magneto-optical and optical spin orientation spectroscopy in combination with tunable laser excitation, we show that spin depolarization within these spin detectors is very efficient and is an important factor limiting efficiency of spin detection. Detailed physical mechanisms leading to efficient spin depolarization will be discussed.
机译:我们对基于Ⅱ-Ⅵs(例如Zn(Cd)Se量子阱)和Ⅲ-Ⅴs(例如InGaN量子阱)的半导体自旋探测器中的自旋去极化和潜在物理机制进行了深入研究,对我们最近的实验结果进行了简要回顾。 ),这与基于ZnMnSe / Zn(Cd)Se和GaMnN / InGaN结构的自旋LED的应用有关。通过使用连续波和时间分辨的磁光和光学自旋取向光谱与可调激光激发相结合,我们表明这些自旋检测器内的自旋去极化非常有效,并且是限制自旋检测效率的重要因素。将讨论导致有效自旋去极化的详细物理机制。

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