Samsung Electronics, San #16 Banwol-Dong, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, South Korea, 445-701;
机译:使用实验和数值方法对高功率模块的瞬态液相粘合SI芯片的热应力评估
机译:使用瞬态热阻抗测量量化大功率多芯片模块热路径中的裂纹区域
机译:不同芯片尺寸的大功率多芯片COB发光二极管的热分析
机译:考虑空气速度,芯片尺寸和功耗的高功率存储器模块热预测方法
机译:利用多维配置的热电模块开发大功率三维集成电路(3D-IC)主动冷却方法的实验和分析模型。
机译:用于大功率多芯片发光二极管热管理的主动冷却系统的实验研究
机译:基于功率模块的强制风冷系统在大功率NPC三电平逆变器中的应用热研究
机译:当样本量小时,用于空间应用的存储芯片的可靠性评估方法