Doping; First-principles calculations; AlGaN; Acceptors; Oxygen;
机译:阶跃量子阱中调制掺杂的Al_xGa_(1-x)As / In_yGa_(1-y)As / Al_xGa_(1-x)中的原子排列,电子参数和电子结构
机译:掺杂浓度不同的Al_xGa_(1-x)As梯度层的InGaP / Al_xGa_(1-x)As / GaAs异质结双极晶体管的综合研究
机译:Al_xGa_(1-x)N厚度对调制掺杂的Al_xGa_(1-x)N / GaN单异质结构中二维电子气输运性质的影响
机译:通过MOCVD生长的掺杂(Al_xGa_(1-x))_(0.5)In_(0.5)P合金
机译:使用原位磷掺杂的选择性硅(1-x)锗(x)合金形成CMOS技术节点之间50 nm的n(+)p结。
机译:铁(II)掺杂铜铁氧体(CuII(x)FeII(1-x)FeIII2O4)的合成表征及应用
机译:100nm-Gaas / al_xGa_ {1-x}扫描霍尔探针的噪声特性