Band gap; First-principles calculations; InGaN; Strain; Bowing parameter;
机译:稀GaSb_(1-x)N_x合金中的巨型且依赖成分的光学带隙弯曲
机译:In_xGa_(1-x)N合金的温度控制外延及其带隙弯曲
机译:In_xGa_(1-x)N合金中带隙压力系数的弯曲
机译:在in_xga_(1-x)n合金中弯曲大而构成依赖带隙弯曲
机译:RPECVD制备的硅酸alloy合金的光谱研究:导带/价带偏移能和光学带隙的比较。
机译:尺寸受限的固定成分和依赖成分的工程带隙合金化在L-半胱氨酸封端的四元CdZnTeS量子点中诱导了不同的内部结构
机译:alN(1-x)px合金的异常带隙弯曲
机译:在si(0(le)x(le)上生长的si(sub 1-x)C(sub x)和si(sub 1-x)Ge(sub x)C(sub y)半导体合金的介电函数和带隙0.014)