IMEC, Kapeldreef 75, Heverlee, B-3001, Belgium;
ESAT-INSYS, K.U.Leuven, Kasteelpark Arenberg 10, Heverlee, B-3001, Belgium;
Philips Research Leuven, Kapeldreef 75, Heverlee, B-3001, Belgium;
Matsushita Electric Industrial Co., Kyoto, Japan;
Applied Materials;
机译:锗和硼低温注入结合亚熔融激光尖峰退火减少p(+)Si扩散层中晶体缺陷的数量
机译:使用p型和n型气相掺杂和亚熔体激光退火技术用于32 nm以下CMOS技术中的延伸结
机译:亚熔体激光退火SiGe外延层的应力分析和结漏
机译:使用非平衡退火表征结激活和失活:固相外延,尖峰退火,激光退火说明
机译:铟镓锌氧化物:毫秒激光尖峰退火过程中的相形成和结晶动力学
机译:作者更正:通过激光峰值退火确定金属玻璃成形合金库中的临界冷却速率
机译:使用p型和n型气相掺杂和亚熔体激光退火技术用于32 nm以下CMOS技术中的延伸结
机译:用于太阳能电池结形成的离子注入Cz硅的激光退火