Department of Physics, University of Dayton, Dayton, OH, USA;
机译:用深能级瞬态光谱法检测含Er掺杂薄层的p型硅中的施主状深能级
机译:硅基衬底上的AlGaN / GaN HEMT中的深能级通过电流深能级瞬态光谱学表征
机译:通过深能级瞬态光谱和拉普拉斯变换深能级光谱研究了GaN中的深能级
机译:GaN中的捐助者的深度缺陷,其特征是双相关深层瞬态光谱
机译:使用深能级瞬态光谱研究宽带隙材料中的深层缺陷。
机译:在(100)和(311)B GaAs衬底上生长的GaAs / AlGaAs多量子阱的深层瞬态光谱
机译:深能级瞬态光谱研究AlGaN / GaN异质结构中的深陷阱:GaN缓冲层中碳浓度的影响
机译:GaN和相关III-N材料中缺陷和杂质的深能级瞬态光谱研究