Center for Integrated Electronics, Department of Electrical, Computer and Systems Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY 12180 USA;
机译:物理现象影响4h-sic双极结晶体管的性能和可靠性
机译:4H-SiC双极结型晶体管中的电检测电子核双共振
机译:高压4H-SIC双极结晶体管的TCAD模型校准
机译:4H-SiC双极结晶体管的前进主动和阻塞性能
机译:等离子体双极结型晶体管的性能和分析:表面电性能的控制。
机译:低关断损耗的4H-SiC沟槽绝缘栅双极晶体管的仿真研究
机译:总剂量对4H-SiC双极结晶体管的影响