Nanyang Technological University, School of Electrical and Electronic Engineering, Block S2.1, Nanyang Avenue, Singapore 639798, Republic of Singapore;
机译:使用五氧化钽对嵌入式DRAM电容器进行随时间变化的介电击穿(TDDB)评估的加速测试
机译:DRAM电容器应用中电场循环实现HFXZR1-XO2中Morphotopic相位边界的方法
机译:高温电容器应用溅射钽钛氧化物薄膜的结构和介电特性
机译:用于减少DRAM应用中氧化钽电容器缺陷状态的各种方法
机译:研究用于高能量密度电容器的氧化锆,五氧化钽和氧化物-聚合物层压膜中的结构-介电特性关系。
机译:改进的Hummers法合成夹心型Mn3O4 @还原氧化石墨烯纳米复合材料及其在铀酰吸附剂中的应用
机译:检测钽电容器内部缺陷的方法,减少设备的故障
机译:积分法在缺陷燃料元素氧化模拟中的应用(利用deme methode Integrale pour la modelisation de l'Oxydation d'Elements Combustibles Defecteux)