Utrecht University, Debye Institute, SID-Physics of Devices, PO box 80.000, 3508 TA Utrecht, The Netherlands;
机译:压力和等离子体电势对通过超高频等离子体增强化学气相沉积法生长的高生长微晶硅的影响
机译:基于常规RF-PECVD的其他VHF等离子体源对大面积快速生长微晶硅薄膜的影响
机译:使用VHF等离子体的高压耗尽法高速率生长微晶硅
机译:VHF PECVD增加压力和等离子体电位对高生长速率微晶硅的影响
机译:在直流鞍场PECVD系统中氢化微晶硅薄膜的生长。
机译:使用多层推挽式等离子体源的VHF(162 MHz)-PECVD用于柔性有机电子设备的氮化硅沉积
机译:通过HW-CVD和VHF-PECVD技术生长的微晶硅薄膜的少数载流子特性
机译:通过远程等离子体增强化学气相沉积(远程pECVD)生长的非晶硅合金中缺陷产生的基础研究。年度分包合同报告,1990年9月1日 - 1991年8月31日