Precision Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology, 4259-R2-19 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan;
机译:具有HfO_2缓冲层的铁电门极场效应晶体管中的30天长时间数据保留
机译:HfO2缓冲层对铁电栅场效应晶体管数据保留特性的影响
机译:使用氧化as作为铁电栅场效应晶体管的缓冲层表征Pt / Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(120 / HfO_2 / Si结构)
机译:具有HFO_2缓冲层的铁电栅场效应晶体管中的长时间数据保留和机制
机译:基相方法的介电薄膜膜膜膜膜椎站中的切换机构和数据保持的计算研究
机译:Pt / CaxSr1-xBi2Ta2O9 / Hf-Al-O / Si高性能铁电门场效应晶体管中铁电晶粒尺寸和取向的研究
机译:Si高电子迁移晶体管缓冲层GaN中的垂直泄漏机制