机译:Si高电子迁移率晶体管缓冲层上GaN中的垂直泄漏机理
机译:在Si(111)上的GaN / AlGaN高电子迁移晶体管结构中的缓冲液中形成的凹坑的影响
机译:AlN成核层生长条件对分子束外延(MBE)生长的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中缓冲液泄漏的影响
机译:Si上初始AlN成核层顶部的AlGaN缓冲层的Al含量与AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构的垂直泄漏电流之间的关系
机译:通过基于Monte Carlo粒子的器件仿真对GaN高电子迁移率晶体管和热电子晶体管进行建模和设计。
机译:使用不同缓冲层配置的200mm硅(111)衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构研究
机译:缓冲层对AlGaN / SiC上的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的热性能的影响