Instituto de Fisica Gleb Wataghin, DFA/LPD, UN1CAMP, CP6165, 13081-790, Campinas-SP, Brazil;
机译:InAs纳米结构的形状对基于InP的掩埋异质结构半导体光放大器特性的影响
机译:InAs / InP纳米结构的单个和小型集成体的电学性质
机译:在InP衬底上生长MOVPE的伪晶AlAs / InGaAs / InAs共振隧穿二极管的结构和电传输特性
机译:InAs / InP半导体纳米结构中的垂直和面内电输送
机译:垂直载波运输性能和装置应用INAS / INAS1-XSBX Type-II超晶格和水溶性剥离技术
机译:绝缘体/氧化物半导体异质结构中电荷载流子的垂直传输控制
机译:新型半导体纳米结构的光学性质:纤锌矿InP / InAs / InP核-多壳纳米线
机译:在BCl(3)基化学中的III-V半导体的电感耦合等离子体蚀刻:第二部分:Inp,InGaas,InGaasp,Inas和allnas;应用表面科学