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Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)
Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)
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1.
High Quality MPCVD Epitaxial Diamond Film for Power Device Application
机译:
用于功率器件的高质量MPCVD外延金刚石薄膜
作者:
Jie Yang
;
Weixiao Huang
;
T. P. Chow
;
James E. Butler
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
2.
Growth and Characterization of ZnO Nanonail
机译:
ZnO纳米钉的生长与表征
作者:
H. W. Seo
;
D. Wang
;
Y. Tzeng
;
N. Sathitsuksanoh
;
C. C. Tin
;
M. J. Bozack
;
J. R. Williams
;
M. Park
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
3.
Fabrication of ZnO Coated ZnS:Mn~(2+) Nanoparticles
机译:
ZnO包覆的ZnS:Mn〜(2+)纳米粒子的制备
作者:
Shinji Ishizaki
;
Yusuke Kusakari
;
Masakazu Kobayashi
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
4.
Zener tunneling of light in an optical superlattice
机译:
光学超晶格中光的齐纳隧穿
作者:
Mher Ghulinyan
;
Zeno Gaburro
;
Lorenzo Pavesi
;
Claudio J. Oton
;
Costanza Toninelli
;
Diederik S. Wiersma
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
5.
ZnO Spintronics and Nanowire Devices
机译:
ZnO自旋电子学和纳米线器件
作者:
David P. Norton
;
Young-Woo Heo
;
L C Tien
;
M P Ivill
;
Y Li
;
B S Kang
;
Fan Ren
;
J Kelly
;
A F Hebard
;
Stephen Pearton
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
6.
Vertical and in-plane electrical transport in InAs/InP semiconductor nanostructures
机译:
InAs / InP半导体纳米结构中的垂直和平面电传输
作者:
K. O. Vicaro
;
J. R. R. Bortoleto
;
H. R. Gutierrez
;
L. Nieto
;
A. A. G. von Zuben
;
A. C. Seabra
;
P. A. Schulz
;
M. A. Cotta
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
7.
Virtual Fabrication of Small Ga-As/P and In-As/P Clusters with Pre-Designed Electronic Pattern Structure
机译:
具有预先设计的电子图案结构的小型Ga-As / P和In-As / P簇的虚拟制作
作者:
Liudmila A. Pozhar
;
Alan T. Yeates
;
Frank Szmulowicz
;
William C. Mitchel
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
8.
Transport Properties of Polycrystalline SiGe Thin Films Grown on SiO_2
机译:
SiO_2上生长的多晶SiGe薄膜的传输特性
作者:
Minoru Mitsui
;
Keisuke Arimoto
;
Junji Yamanaka
;
Kiyokazu Nakagawa
;
Kentarou Sawano
;
Yasuhiro Shiraki
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
9.
The General Synthesis of Nanostructured V/VI Semiconductors
机译:
纳米结构V / VI半导体的一般合成
作者:
Paul Christian
;
Paul OBrien
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
10.
The Er~(3+) and Yb~(3+)-related emission from Er, Yb co-implanted Al_(0.70)Ga_(0.30)As/GaAs substrates prepared MOCVD method
机译:
从Er,Yb共注入Al_(0.70)Ga_(0.30)As / GaAs衬底制备的Er〜(3+)和Yb〜(3+)相关发射光谱通过MOCVD方法制备
作者:
Tomoyuki.Arai
;
Shin-ichiro Uekusa
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
11.
Spectroscopic analysis of external stresses in semiconductor quantum-well materials
机译:
半导体量子阱材料中外部应力的光谱分析
作者:
Jens W. Tomm
;
Mark L. Biermann
;
B. S. Passmore
;
M. O. Manasreh
;
A. Gerhardt
;
Tran
;
Q. Tien
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
12.
Synthesis and Characterization of ZnO Nanoparticles
机译:
ZnO纳米粒子的合成与表征
作者:
I. U. Abhulimen
;
X. B. Chen
;
J. L. Morrison
;
V. K. Rangari
;
L. Bergman
;
K. Das
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
13.
Synthesis of Highly Photoluminescent CdTe Nanocrystals and Their Incorporation into Glass Matrices
机译:
高光致发光CdTe纳米晶体的合成及其掺入玻璃基质中
作者:
Norio Murase
;
Chunliang Li
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
14.
Short-Period Strain-balanced GaAs_(1-x) Nx/InAs(N) Superlattices Lattice-matched to InP(001): a new material for 0.4-0.6 eV mid IR applications
机译:
与InP(001)晶格匹配的短周期应变平衡GaAs_(1-x)Nx / InAs(N)超晶格:一种用于0.4-0.6 eV中红外应用的新材料
作者:
L. Bhusal
;
A. Alemu
;
A. Freundlich
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
15.
Processing of deeply etched GaAs/AlGaAs quantum cascade lasers with grating structures
机译:
具有光栅结构的深蚀刻GaAs / AlGaAs量子级联激光器的加工
作者:
S.Golka
;
M.Austerer
;
C. Pfluegl
;
W. Schrenk
;
G.Strasser
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
16.
Preparation of SrS:Ce/ZnO Core-Shell Nanoparticles Using Reverse Micelle Method
机译:
逆胶束法制备SrS:Ce / ZnO核壳纳米粒子
作者:
Yusuke Kusakari
;
Shinji Ishizaki
;
Masakazu Kobayashi
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
17.
Nominal PbSe nano-islands on PbTe: grown by MBE, analyzed by AFM and TEM
机译:
PbTe上的标称PbSe纳米岛:由MBE生长,通过AFM和TEM分析
作者:
Peter Mocek
;
Mukes Kapilashrami
;
Arvind Rao
;
Kirill Aldushin
;
Jeahuck Lee James E. Morris
;
Nigel D. Browning
;
Patrick J. McCann
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
18.
New Routes To Metal Chalcogenide Nanostructures
机译:
金属硫属化物纳米结构的新途径
作者:
Paul Christian
;
Paul OBrien
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
19.
New Electroluminescence Spectrum from Co-doped ZnS:(Mn,Si) Films Prepared by Chemical Vapor Deposition with Laser Ablation
机译:
激光烧蚀化学气相沉积共掺杂ZnS:(Mn,Si)薄膜的新电致发光光谱
作者:
Makoto Ozawa
;
Tomomasa Satoh
;
Takashi Hirate
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
20.
Metal-oxide Semiconductor Field-effect Transistors using Single ZnO Nanowire
机译:
使用单根ZnO纳米线的金属氧化物半导体场效应晶体管
作者:
Young-Woo Heo
;
B. S. Kang
;
L. C. Tien
;
Y. Kwon
;
J. R. La Roche
;
B. P. Gila
;
F. Ren
;
S. J. Peaiton
;
D. P. Norton
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
21.
Longitudinal Modes in InAlGaAs/AlGaAs High-Power Laser Diodes
机译:
InAlGaAs / AlGaAs高功率激光二极管的纵向模式
作者:
B. S. Passmore
;
Y. C. Chua
;
M. O. Manasreh
;
J. W. Tomm
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
22.
Intersubband Transitions in GaN/Al_xGa_(1-x)N Multi Quantum Wells
机译:
GaN / Al_xGa_(1-x)N多量子阱中的子带间跃迁
作者:
E. A. DeCuir Jr
;
Y.C. Chua
;
B. S. Passmore
;
J. Liang
;
M. O. Manasreh
;
J. Xie
;
H. Morkoc
;
A. Asghar
;
I. T. Ferguson
;
A. Payne
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
23.
Intersubband Transitions in In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs Multiple Quantum Dots of Varying Dot-Sizes
机译:
点大小可变的In_(0.3)Ga_(0.7)As / GaAs多个量子点中的子带间跃迁
作者:
Y. C. Chua
;
Jie Liang
;
B. S. Passmore
;
E. A. DeCuir
;
M. O. Manasreh
;
Zhiming
;
Wang
;
G. J. Salamo
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
24.
Improved performance of GaSb-based MIR photodetectors through electrochemical passivation in sulphur containing solutions
机译:
在含硫溶液中通过电化学钝化提高基于GaSb的MIR光电探测器的性能
作者:
A. Piotrowska
;
E. Papis
;
K. Golaszewska
;
R. Lukasiewicz
;
E. Kaminska
;
T. T. Piotrowski
;
R. Kruszka
;
A. Kudla
;
J. Rutkowski
;
J. Szade
;
A. Winiarski
;
A. Wawro
;
M. Aleszkiewicz
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
25.
Electric Field Enhancement of Dark Current Generation in Detectors
机译:
探测器中暗电流产生的电场增强
作者:
James P. Lavine
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
26.
Electrical and Optical Properties of n-type and p-type ZnO
机译:
n型和p型ZnO的电学和光学性质
作者:
D. C. Look
;
B. Claflin
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
27.
Electrical and dielectric behavior of Pb(Mg_(1/4)Ni_(1/4)W_(1/2)O_3 ceramics
机译:
Pb(Mg_(1/4)Ni_(1/4)W_(1/2)O_3陶瓷的电性能和介电性能
作者:
Adolfo Franco Junior
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
28.
Electrical Properties of ZnO Thin Films Deposited by Pulsed Laser Deposition
机译:
脉冲激光沉积沉积ZnO薄膜的电学性质
作者:
S. P. Heluani
;
G. Simonelli
;
M. Villafuerte
;
G. Juarez
;
A. Tirpak
;
G. Braunstein
;
F. Vignolo
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
29.
Ab-Initio Calculations for the Electronic Spectra of Cubic and Hexagonal Boron Nitride
机译:
立方氮化硼和六方氮化硼电子光谱的从头算计算
作者:
Guido Satta
;
Giancarlo Cappellini
;
Valerio Olevano
;
Lucia Reining
会议名称:
《》
|
2004年
30.
Atomic Force Microscopy and Spectroscopy of Self-Assembled InAsSb Quantum Dots grown on InP Substrates by MOCVD
机译:
通过MOCVD在InP衬底上生长的自组装InAsSb量子点的原子力显微镜和光谱学
作者:
Yongkun Sin
;
Hyun I. Kim
;
Gary W. Stupian
;
Yueming Qiu
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
31.
Beam Induced Lateral Epitaxy of GaAs on a GaAs/Si Template
机译:
GaAs / Si模板上的束诱导的GaAs横向外延
作者:
Shigeya Naritsuka
;
Koji Saitoh
;
Toshiyuki Kondo
;
Takahiro Maruyama
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
32.
Defect structures in undoped and doped ZnO films studied by solid state diffusion
机译:
固态扩散研究未掺杂和掺杂的ZnO薄膜中的缺陷结构
作者:
Haruki Ryoken
;
Isao Sakaguchi
;
Takeshi Ohgaki
;
Naoki Ohashi
;
Yutaka Adachi
;
Hajime Haneda
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
33.
High Speed Ge Photodetectors on Si Platform for GHz Optical Communications in C+L Bands
机译:
Si平台上用于C + L频段GHz光通信的高速Ge光电探测器
作者:
Jifeng Liu
;
Jurgen Michel
;
Douglas D. Cannon
;
Wojciech Giziewicz
;
D. Pan
;
David T. Danielson
;
Samerkhae Jongthammanurak
;
John Yasaitis
;
Kazumi Wada
;
Clifton G. Fonstand
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
34.
Heterostructures with Strained InGaAs Quantum Wells for RCE Photodiode Applications in the 1.8-2 μm Spectral Range
机译:
在1.8-2μm光谱范围内用于RCE光电二极管的带应变InGaAs量子阱的异质结构
作者:
Jadwiga Zynek
;
Agata Jasik
;
Jaroslaw Gaca
;
Marek Wojcik
;
Wlodzimierz Strupinski
;
Jaroslaw Rutkowski
;
Artur Wnuk
;
Krzysztof Klima
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
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2004年
35.
Growth and Crystal Structure of Alq3 Single Crystals. A new structure showing π-π and CH-π interactions
机译:
Alq3单晶的生长和晶体结构。显示π-π和CH-π相互作用的新结构
作者:
Ali N. Rashid
;
Donald C. Craig
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
36.
Good Temperature Performances of 870nm Resonant Cavity Light Emitting Diode (RCLED)
机译:
870nm谐振腔发光二极管(RCLED)的良好温度性能
作者:
Lih-Wen Laih
;
Yi-Hao Wu
;
Li-Hong Laih
;
Rong-Moo Hong
;
Hao-Chung Guo
;
Jung-Lung
;
Yu
;
Yu-Hsiang Huang
;
Yi-An Chang
;
Ren-Jiun Chang
;
Chun-Hui Yang
;
I-Tsung Wu
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
37.
First-principles Calculation of Electron Mobilities in Ultrathin SOI MOSFETs
机译:
超薄SOI MOSFET中电子迁移率的第一性原理计算
作者:
Matthew H. Evans
;
Xiaoguang Zhang
;
John D. Joannopoulos
;
Sokrates T. Pantelides
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
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2004年
38.
Zinc oxide nanocluster formation by low energy ion implantation
机译:
通过低能离子注入形成氧化锌纳米簇
作者:
I. Muntele
;
P. Thevenard
;
C. Muntele
;
B. Chhay
;
D. Ila
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
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2004年
39.
ZnO/GaN Heteroepitaxy
机译:
ZnO / GaN异质外延
作者:
K. W. Jang
;
D. C. Oh
;
T. Minegishi
;
H.Suzuki
;
T. Hanada
;
H. Makino
;
M. W. Cho
;
T. Yao
;
S. K.Hong
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
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2004年
40.
Ultrashort Pulse Generation with Semiconductor Modelocked Lasers Using Saturable Absorbers Based on Intersubband Transitions in GaN/AlGaN Quantum Wells
机译:
使用基于GaN / AlGaN量子阱中子带间跃迁的可饱和吸收体的半导体锁模激光器产生超短脉冲
作者:
Faisal R. Ahmad
;
Paul George
;
Jahan Dawlaty
;
Fahan Rana
;
William J. Shaff
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
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2004年
41.
Thermal Stability of InGaAs Quantum Dote Under Large Temperature Transients
机译:
InGaAs量子点在大温度瞬变下的热稳定性
作者:
R. Rangarajan
;
V. C. Elarde
;
J. J. ColemanQ
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
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2004年
42.
Towards p-type doping of ZnO by ion implantation
机译:
通过离子注入实现ZnO的p型掺杂
作者:
V. A. Coleman
;
H. H. Tan
;
C. Jagadish
;
S. O. Kucheyev
;
M. R. Phillips
;
J. Zou
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
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2004年
43.
The Definition of Multiple Bandgaps in Quantum-Dot Material by Intermixing
机译:
混合中量子点材料中多个带隙的定义
作者:
A. Catrina Bryce
;
John H. Marsh
;
Dan A. Yanson
;
Olek P. Kowalski
;
Shin-Sung Kim
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
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2004年
44.
Structural and Optical Effects of Capping Layer Material and Growth Rate on the Properties of Self-Assembled InAs Quantum Dot Structures
机译:
覆盖层材料的结构和光学效应以及生长速率对自组装InAs量子点结构性能的影响
作者:
Gabriel Agnello
;
Vadim Tokranov
;
Michael Yakimov
;
Matthew Lamberti
;
Yuegui Zheng
;
Serge Oktyabrsky
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
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2004年
45.
Structural investigation of InAs/InGaAs/InP nanostructures: origin and stability of nanowires
机译:
InAs / InGaAs / InP纳米结构的结构研究:纳米线的起源和稳定性
作者:
L. Nieto
;
H. R.Gutierrez
;
J. R. R. Bortoleto
;
R. Magalhaes-Paniago
;
M. A.Cotta
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
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2004年
46.
Study of Germanium Diffusion in HfO_2 Gate Dielectric of MOS Device Application
机译:
锗在HfO_2栅介质中的扩散研究
作者:
Qingchun Zhang
;
Nan Wu
;
L. K. Bera
;
Chunxiang Zhu
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
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2004年
47.
Superfluorescence of Ion Beam Synthesized Dense-Packed Embedded CdSe Nanoclusters
机译:
离子束合成的密集包装嵌入式CdSe纳米团簇的超荧光
作者:
H. Karl
;
I. Grosshans
;
P. Huber
;
B. Stritzker
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
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2004年
48.
Roughness Analysis of Episurfaces Grown on Ion-Beam Processed GaSb Substrates
机译:
离子束处理的GaSb衬底表面生长的粗糙度分析
作者:
K. Krishnaswami
;
D. B. Fenner
;
S. R. Vangala
;
C. Santeufemi
;
M. Grzesik
;
L. P. Allen
;
G. Dallas
;
W. D. Goodhue
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
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2004年
49.
Site-specific formation of nanoporous silicon on micro-fabricated silicon surfaces
机译:
在微细加工的硅表面上形成特定位置的纳米多孔硅
作者:
Funs Suons Ou
;
Laxmikant V. Saraf
;
Donald R. Baer
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
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2004年
50.
Preparation and luminescent properties of SrS:Ce by addition of sulphur as a co-activator in SrSO_4:Ce(SO_4)_2·4H_2O by carbothermal reduction
机译:
碳热还原法在SrSO_4:Ce(SO_4)_2·4H_2O中添加硫作为助活化剂,制备SrS:Ce及其发光性能
作者:
P. Thlyagarajan
;
M. Kottaisamy
;
K. Sethupathi
;
M. S. R. Rao
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
51.
Preparation of Carbon Nano-Materials Using Arc Discharge in Liquid
机译:
液体中电弧放电制备碳纳米材料
作者:
Y. Suda
;
H. Kawasaki
;
T. Ohshima
;
S. Nakashima
;
S. Kawazoe
;
T. Toma
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
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2004年
52.
Preparation of Ultraviolet Light Emitting ZnO Nanoparticles Via a Novel Synthesis Route
机译:
新型合成路线制备紫外发光ZnO纳米粒子
作者:
Yuntao Li
;
Richard D. Yang
;
S.Tripathy
;
H. -J. Sue
;
N. Miyatake
;
R. Nishimura
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
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2004年
53.
Quantum-Dot Molecules for Potential Applications in Terahertz Devices
机译:
太赫兹器件中潜在应用的量子点分子
作者:
Valeria Gabriela Stoleru
;
Elias Towe
;
Chaoying Ni
;
Debdas Pal
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
54.
Pt/Au and W/Pt/Au Schottky Contacts to Bulk n-ZnO
机译:
Pt / Au和W / Pt / Au肖特基接触块状n-ZnO
作者:
Brent Gila
;
Andrea Onstine
;
Eric Lambers
;
Young-Woo Heo
;
David
;
Norton
;
Stephen Pearton
;
Jeffrey LaRoche
;
Fan Ren
;
Kelly Ip
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
55.
Properties of Gallium Selenide Doped with Sulfur
机译:
硒化硒化镓的性能
作者:
Valeriy G. Voevodin
;
Svetlana A. Bereznaya
;
Zoya V. Korotchenko
;
Aleksandr N. Morozov
;
Sergey YU. Sarkisov
;
Nils C. Fernelius
;
Jonathan T. Goldstein
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
56.
Prospect for Ⅲ-Nitride Heterojunction MOSFET Structures and Devices
机译:
Ⅲ型氮化物异质结MOSFET的结构和器件的前景
作者:
M. A. L. Johnson
;
D. W. Barlage
;
Dave Braddock
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
57.
Raman spectroscopy of V and Co doped ZnO ceramics and thin films
机译:
V和Co掺杂的ZnO陶瓷和薄膜的拉曼光谱
作者:
K. Samanta
;
N. Awasthi
;
B. Sundarakannan
;
P. Bhattacharya
;
R. S. Katiyar
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
58.
Novel Noncontact Thickness Metrology for Partially Transparent and Nontransparent Wafers for Backend Semiconductor Manufacturing
机译:
用于后端半导体制造的部分透明和不透明晶圆的新型非接触厚度计量
作者:
Wojciech J. Walccki
;
Vitali Souchkov
;
Kevin Lai
;
Phuc Van
;
Manuel Santos
;
Alexander
;
Pravdivtsev
;
S. H. Lau
;
Ann Koo
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
59.
Nitrogen induced optical phonon shift in GaN_yAs_(1-y) studied by Raman Scattering
机译:
氮在GaN_yAs_(1-y)中的声子光子位移的拉曼散射研究
作者:
Li-Lin Tay
;
David J. Lockwood
;
James A. Gupta
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
60.
Nickel Silicide Work Function Tuning Study In Metal-Gate CMOS Applications
机译:
金属门CMOS应用中的硅化镍功函数调谐研究
作者:
Jun Yuan
;
Grant Z. Pan
;
Yu-Lin Chao
;
Jason C. S.Woo
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
61.
Near band-edge and excitonic behavior of GaAsN epilayers grown by Chemical Beam Epitaxy
机译:
化学束外延生长GaAsN外延层的近带边和激子行为
作者:
J. A. H Coaquira
;
L. Bhusal
;
W. Zhu
;
A. Fotkatzikis
;
M. -A. Pinault
;
A. P. Litvinchuk
;
A. Freundlich
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
62.
Optical properties of CdSe and CdTe nanoparticles embedded in SiO_2 films
机译:
嵌入SiO_2薄膜的CdSe和CdTe纳米粒子的光学性质。
作者:
P. Babu Dayal
;
B. R. Mehta
;
P. D. Paulson
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
63.
Optical characterization of hierarchically self-assembled GaAs/AlGaAs quantum dots
机译:
分层自组装GaAs / AlGaAs量子点的光学表征
作者:
F.Marabelli
;
A.Rastelli
;
O. G. Schmidt
;
G.Beaurin
;
M.Geddo
;
G. Guizzetti
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
64.
MBE-Grown GaNAsBi Matched to GaAs with 13-μm Emission Wavelength
机译:
MBE生长的GaNAsBi匹配具有13μm发射波长的GaAs
作者:
Masahiro Yoshimoto
;
Wei Huang
;
Kunishige Oe
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
65.
InAs Quantum Dots for Optoelectronic Device Applications
机译:
光电器件应用的InAs量子点
作者:
K. Stewart
;
S. Bank
;
M. Buda
;
H. H. Tan
;
C. Jagadish
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
66.
Electronic and Optical Properties of SiGe alloys within first-principles schemes
机译:
第一原理方案中的SiGe合金的电子和光学性质
作者:
G. Cappellini
;
G. Satta
;
M. Palummo
;
G. Onida
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
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2004年
67.
Electrical Measurement of Recombination Lifetime in Blue Light Emitting Diodes
机译:
蓝光发光二极管复合寿命的电学测量
作者:
M. A. Awaah
;
R. Nana
;
K. Das
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
68.
Dispersion Engineering of Three-Dimensional Silicon Photonic Crystals: Fabrication and Applications
机译:
三维硅光子晶体的色散工程:制造与应用
作者:
Sriram Venkataraman
;
Garrett Schneider
;
Janusz Murakowski
;
Shouyan Shi
;
Dennis
;
W. Prather
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
69.
(110) In As Quantum Dots: Growth, Single-Dot Luminescence and Cleaved Edge Alignment
机译:
(110)在量子点中:生长,单点发光和切边对齐
作者:
D. Wasserman
;
E. A. Shaner
;
S. A. Lyon
;
M. Hadjipanayi
;
A. C. Maciel
;
J. F. Ryan
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
70.
Annealing Effects of ZnO Nanorods on DC Inorganic Electroluminescent Device Characteristics
机译:
ZnO纳米棒对直流无机电致发光器件特性的退火作用
作者:
Shinya Sasaki
;
Hiroshi Miyashita
;
Takashi Kimpara
;
Tomomasa Satoh
;
Takashi Hirate
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
71.
Application of Low Temperature InP Wafer Bonding Towards Optical Add/Drop Multiplexer Realization
机译:
低温InP晶片键合在光分插复用器实现中的应用
作者:
J. Arokiaraj
;
S.Vicknesh
;
A.Ramam
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
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2004年
72.
Charge coupled cyclotron motion of electrons and holes in InGaAsN epitaxial layers
机译:
InGaAsN外延层中电子和空穴的电荷耦合回旋加速器运动
作者:
H. E. Porteanu
;
O. Loginenko
;
F. Koch
;
G. Dumilras
;
L. Geelhaar
;
H. Riechert
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
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2004年
73.
Composition Dependence of the Judd-Ofelt Intensity Parameters in TeO_2-PbF_2: Tm~(3+) Glasses
机译:
TeO_2-PbF_2:Tm〜(3+)玻璃中Judd-Ofelt强度参数的组成依赖性
作者:
Idris Kabalci
;
GonulOzen
;
Adrian Kurt
;
Alphan Sennaroglu
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
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2004年
74.
Correlation between Photoreflectance Spectra and Electrical Characteristics of InP/GaAsSb Double Heterojunction Bipolar Transistors
机译:
InP / GaAsSb双异质结双极晶体管的电反射光谱与电学特性的相关性
作者:
Hiroki Sugiyama
;
Yasuhiro Oda
;
Haruki Yokoyama
;
Takashi Kobayashi
;
Masahiro Uchida
;
Noriyuki Watanabe
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
|
2004年
75.
Dielectric Properties of Semiconductors by TDDFT in Real-Space and Real-Time Approach
机译:
TDDFT实时和实时方法的半导体介电性能
作者:
Yasunari Zempo
;
Nobuhiko Akino
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
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2004年
76.
Dopant Activation in bulk germanium and Germanium-on-Insulator
机译:
散装锗和绝缘体中锗的掺杂剂活化
作者:
Y.-L. Chao
;
S. Prussin
;
J. C. S. Woo
;
R. Scholz
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.829; Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials IV-Electronic and Optoelectonic Applications; 20041129-1203; Boston,MA(US)》
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2004年
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