Electrical Engineering, Univ. of South Florida, Tampa, FL 33620, USA;
机译:关于使用硅烷环境注入退火技术开发6H-SiC LDMOS晶体管的研究
机译:SiC中Al掺杂剂的硅烷超压注入后退火:冷壁CVD设备
机译:研究退火工艺和界面与四乙氧基硅烷沉积的SiO2对降低4H-SiC器件栅极定义的热收支的影响
机译:低压硅烷环境中SiC离子植入物退火的鲁棒方法
机译:氮化镓和氮化镓基器件的高级处理:超高温退火和注入结合。
机译:在不同的注入后退火后p型铝注入的4H-SiC层上的欧姆接触
机译:1950°C注入后退火后的Al +注入4H-SiC层和Al +注入4H-SiC p-n结的结构和功能表征
机译:固态微波退火与离子注入siC常规炉退火的比较2。杂志文章