Department of Materials Science and Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology, 373-1 Kusong-dong,Yusong-gu, Taejon, 305-701, South Korea;
机译:InGaN / GaN多量子阱中富铟量子点的界面表征和铟含量
机译:通过耦合的InGaN / GaN量子阱和量子点结构提高绿色InGaN量子点的内部量子效率
机译:减少富含铟的自组织InGaN / GaN量子点的热猝灭
机译:发射红色λ〜630 nm的富铟InGaN / GaN自组装量子点脊形波导激光器的物理模型)
机译:铝砷化镓-砷化镓-砷化镓-砷化铟量子点通过低压金属有机化学气相沉积与量子阱异质结构激光器耦合。
机译:InGaN / GaN量子阱和量子点结构耦合中的自旋和光偏振研究
机译:减少富含铟的自组织InGaN / GaN量子点的热猝灭