Department of Electrical Engineering, Ohio State University, Columbus, OH 43210;
机译:MBE和MOCVD生长的GaInNA的比较
机译:晶格匹配的InGaAsN / GaAs中的光致发光和深能级
机译:InGaAsN / GaAs和GaAsN / GaAs异质结的界面性质和深能级
机译:MBE-和MOCVD-GROAD INGAASN的深层光谱比较
机译:恒定电容深层瞬态光谱法研究(100)和(311)B分子束表型砷化镓深层。
机译:耳间时差的途径:在三个解剖学水平的光谱带宽和相关灵敏度的比较
机译:从半绝缘CdZnTe探测器材料的热激发电流谱中识别深阱能级
机译:用于高效多结III-V太阳能电池的p型和n型InGaasN的深能级