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牛智川; 黎健;
中科院半导体所;
光荧光; 硅; 掺杂; 分子束外延; MBE生长; 砷化镓;
机译:MBE生长的掺硅GaAs的光载流子和电子学的PCR研究
机译:MBE生长的掺硅GaAs的PCR的光载流子和电子学研究
机译:掺Si的MBE生长GaAs中的残留杂质的鉴定
机译:用光泵太赫兹探针研究了MBE生长的硅上GaAs的光载流子动力学
机译:MBE生长的用于光伏应用的半导体材料的特性。
机译:MBE在GaAs上生长的应变GaAsSb / GaAs QW结构的光致发光和能带排列
机译:椭圆偏振光谱法研究掺Er纳米晶硅薄膜的层结构和杂质含量
机译:利用分子束外延生长InGaasp的集成光电子电路(mBE Gaas的掺铒)
机译:MBE生长技术,用于匹配在GaAs衬底上生长的超晶格
机译:在硅衬底上生长的GaAs薄膜以及在硅衬底上生长的GaAs薄膜的制备方法
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