机译:金属/氧化物界面对以MBE生长的Ga_2O_3(Gd_2O_3)为栅极电介质的耗尽型GaAs MOSFET的DC和RF性能的影响
机译:使用MBE生长的Ga_2O_3(Gd_2O_3)作为栅极氧化物的GaAs MOSFET
机译:以分子束外延生长的Al_2O_3 / Ga_2O_3(Gd_2O_3)作为栅极电介质的耗尽型In_(0.2)Ga_(0.8)As / GaAs MOSFET
机译:Ingaas Moscaps和自对齐的反演通道MOSFET,带有AL_2O_3 / GA_2O_3(GD_2O_3)作为栅极电介质
机译:使用磷化铟铝作为栅介质的亚微米栅长砷化镓沟道MOSFET的制备和性能。
机译:P型门 - 全面硅纳米线MOSFET的低温传输特性
机译:通过原子层沉积生长具有氧化物栅极电介质的GaAs MOSFET
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响