IBM T. J. Watson Research Center Address Route 134, Room 06-258, Yorktown Heights, NY 10706;
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机译:采用高k栅极电介质/金属栅极堆叠的覆盖层的厚度和材料对平坦带电压(V_(FB))和等效氧化物厚度(EOT)的依赖性,适用于先栅工艺应用
机译:宽带隙高k Y_2O_3作为钝化中间层,用于增强具有高k HfTiO栅极电介质的n-Ge金属氧化物半导体电容器的电性能和高场可靠性
机译:稀土金属对n沟道金属氧化物半导体器件应用中的全硅化栅极/高k电介质堆叠的有效功函数调制的作用
机译:金属栅极/高k介质栅极堆叠可靠性;或者我如何学会与氧化物一起生活
机译:快速热CVD高k栅极电介质和CVD金属栅电极的技术开发和研究,用于未来的ULSI MOSFET器件集成:氧化锆和氧化ha。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:(邀请的)金属栅/高κ介质栅极堆叠可靠性;或者我如何学会与氧化物一起生活